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RoHS準拠
鉛フリー

IR2011

200 V high-side and low-side gate driver IC
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IR2011
IR2011
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    75 ns
  • 伝搬遅延オン
    80 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Sink)
    1 A
  • 出力電流 (Source)
    1 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
推奨
OPN
IR2011PBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PDIP8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PDIP8
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
200 V High and Low Side Driver IC with typical 1 A source and 1 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to 200 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Indep. low & high side channels
  • Input logic HIN/LIN active high
  • Undervol. lockout for both channels
  • 3.3 and 5 V input logic compatible
  • CMOS Schmitt-triggered inputs
  • Matched prop. delay for both chan.

用途

図

Circuit_Diagramm_IR2011
Circuit_Diagramm_IR2011
Circuit_Diagramm_IR2011 Circuit_Diagramm_IR2011 Circuit_Diagramm_IR2011
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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