新規
Active and preferred
RoHS準拠

IQE010N04LM7CGSC

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OptiMOS™ 7 40 Vスイッチング最適化パワーMOSFET、PQFN (3.3x3.3) ソースダウン センターゲート両面放熱 (DSC) パッケージ
データシート
パッケージ

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IQE010N04LM7CGSC
IQE010N04LM7CGSC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    270 A
  • IDpuls (最大)
    1080 A
  • QG (typ @4.5V)
    18.9 nC
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.1 V ～ 1.7 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Switching optimized, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQE010N04LM7CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの最新OptiMOS™ 7 40Vスイッチング最適化MOSFETは、これまでにないレベルのアプリケーション最適化を実現し、データセンター、人工知能、通信など、幅広いアプリケーションで最高のパフォーマンスを発揮します。OptiMOS™ 6と比較して、導通損失が最大25%改善され、FOM QgとFOM Qossが最大20%向上し、ソフトスイッチングDC-DC、IBC、48V変換においてより高い効率と電力密度を実現します。

特長

  • アプリケーションのニーズに応じたMOSFET最適化
  • 導通損失を最大25%低減
  • OptiMOS™ 6と比較してRDS (on)を最大25%低減
  • スイッチング用に制御された電荷
  • FOM Qg、FOM Qossが最大20%向上
  • ソースダウン両面放熱 (DSC)
  • PQFN 3.3×3.3のパッケージサイズ

利点

  • Higher power density
  • Higher efficiency at full load
  • High frequency switching enablement
  • Increased thermal performance
  • Lower switching losses in fast designs
  • Simplified paralleling via Center Gate

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }