Active and preferred
RoHS準拠

IQE006NE2LM5

OptiMOS™ 25 V low-voltage power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on).
EA.
在庫あり

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IQE006NE2LM5
IQE006NE2LM5
EA.

Product details

  • Ciss
    4100 pF
  • Coss
    1700 pF
  • ID (@25°C) max
    298 A
  • IDpuls max
    1192 A
  • Ptot max
    89 W
  • QG (typ @4.5V)
    28.5 nC
  • QG (typ @10V)
    61.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.65 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.8 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Rth
    1.4 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.3 V to 2 V
  • VGS max
    16 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.66
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
OPN
IQE006NE2LM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The innovative Source-Down OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 25 V comes in a PQFN3.3x3.3 package size, making it easy to use in the same PCB routing as the Drain-Down solution. In the same package outline of 3.3x3.3mm, the new Source-Down shows an industry benchmark RDS(on) by reducing the current standard RDS(on) of about 30 percent and shows a significant shrink of form factor.

機能

  • RDS(on) reduction up to 30%
  • Superior thermal management option
  • Optimized layout possibilities
  • Two footprint versions available

利点

  • Higher current capability
  • Highest power density and performance
  • Shrink of form factor
  • SuperSO8 performance in smaller package
  • Optimized PCB parasitics
  • Decrease of RthJA and RthJC
  • Better transfer of power losses
  • Double-side cooling
  • Source-Down for existing PCB
  • Center-Gate optimizes parallelization

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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