IPT047N15NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPT047N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPT047N15NM6
IPT047N15NM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    147 A
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.7 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT047N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IPT047N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V in normal level is setting a new level of performance within the highly competitive 150 V market. OptiMOS™ 6 150 V technology was designed to fulfill the requirements of both high and low switching frequency applications, in hard and soft switching.

特長

  • 20% lower FOMg than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • High current rating
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Superior power handling capability
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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