Active and preferred
RoHS準拠

IPT020N13NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLL
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPT020N13NM6
IPT020N13NM6
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    297 A
  • QG (typ @10V)
    159 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2 mΩ
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 予算価格€/ 1k
    2.17
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT020N13NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This product effectively bridges the gap between the 120 V and 150 V MOSFETs. In TOLL, OptiMOS™ 6 135 V achieves ~48% improvements in on-state resistance (RDS(on)) and ~38% lower gate threshold voltage spread compared to the OptiMOS™ 5 150 V. This results in lower conduction losses and increased output power. The low vgsth spread leads to improved dynamic current sharing, that enables you to reduce  the number of MOSFETs and lowers the system costs.

機能

  • Up to 48% lower ON-state-resistance
  • Up to 38% lower gate threshold voltage spread
  • Up to 70% reduction of reverse recovery charge (Qrr)

利点

  • System cost reduction
  • Lower conduction losses and increased output power
  • Less paralleling required
  • Reduced VDS overshoot & switching losses
  • Higher power density designs

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }