IPT020N13NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPT020N13NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLL
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IPT020N13NM6
IPT020N13NM6
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    297 A
  • QG (typ @10V)
    159 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2 mΩ
  • VDS (最大)
    135 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 予算価格€/ 1k
    2.17
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT020N13NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This product effectively bridges the gap between the 120 V and 150 V MOSFETs. In TOLL, OptiMOS™ 6 135 V achieves ~48% improvements in on-state resistance (RDS(on)) and ~38% lower gate threshold voltage spread compared to the OptiMOS™ 5 150 V. This results in lower conduction losses and increased output power. The low vgsth spread leads to improved dynamic current sharing, that enables you to reduce  the number of MOSFETs and lowers the system costs.

特長

  • Up to 48% lower ON-state-resistance
  • Up to 38% lower gate threshold voltage spread
  • Up to 70% reduction of reverse recovery charge (Qrr)

利点

  • System cost reduction
  • Lower conduction losses and increased output power
  • Less paralleling required
  • Reduced VDS overshoot & switching losses
  • Higher power density designs

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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