IPT017N12NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPT017N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IPT017N12NM6
IPT017N12NM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    331 A
  • IDpuls (最大)
    1324 A
  • Ptot (最大)
    395 W
  • QG (typ @10V)
    113 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.7 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2.6 V～3.6 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 予算価格€/ 1k
    2.25
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT017N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in TO-Leadless packaging with 1.7 mOhm on-resistance. IPT017N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

特長

  • Features: 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • Up to 90% better Qrr
  • Up to 35% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent Qg x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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