IPM018N10NM5LF2
Active and preferred
RoHS対応

IPM018N10NM5LF2

OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.8 mΩ, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
データシート
パッケージ

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IPM018N10NM5LF2
IPM018N10NM5LF2
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    285 A
  • QG (typ @10V)
    142 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.85 mΩ
  • Special Features
    Wide SOA
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.85 V～3.45 V
  • VGS(th)
    3.15 V
  • パッケージ
    mTOLG (8x8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPM018N10NM5LF2AUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE
IPM018N10NM5LF2 is Infineon’s best-in-class OptiMOS™ 5 Linear FET 2 100 V in the new 8x8 mTOLG, offering the industry’s lowest RDS(on) and wide SOA at 25˚C. This is a JEDEC listed package, compatible with other 8x8 mm2 gullwing package MOSFETs, i.e. LFPAK88 type. The combination of the OptiMOS™ 5 Linear FET 2 technology and the mTOLG package, is designed to provide highest power density for inrush current protection applications such as hot-swap, e-fuse, and battery protection in battery management systems (BMS).

特長

  • 8 mm x 8 mm footprint
  • Wide safe operating area (SOA)
  • Ultra low On-Resistance
  • Lower leakage current
  • Optimized transfer characteristic

利点

  • Highest power density in 8x8 mm2
  • Low conduction losses
  • Rugged linear mode operation
  • Better current sharing
  • Improved gate driver compatibility
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ