新規設計は非推奨
RoHS準拠

IPG20N04S4-09A

40 V, N-Ch, 9.0 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ

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IPG20N04S4-09A
IPG20N04S4-09A
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG (typ @10V)
    21.7 nC
  • QG (typ @10V) max
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.6 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    Dual SSO8 (PG-TDSON-8)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-T2
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2014
  • 認定
    Automotive
OPN
IPG20N04S409AATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This Dual SSO8 MOSFET can replace two DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. The bond wire is 200um and the current capability is 20A. This product is AEC Q101 qualified.

機能

  • Dual N-channel-Normal Level-Enhancement
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Large source lead for wire bonding
  • Equal performance to DPAK, same die size
  • Exposed pad for thermal transfer
  • 2 N-Channel MOSFETs; Isolated Leadframes

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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