IPG20N04S4-09A
新規設計非推奨
RoHS対応

IPG20N04S4-09A

40 V, N-Ch, 9.0 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPG20N04S4-09A
IPG20N04S4-09A
個.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    China, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG (typ @10V)
    21.7 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.6 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    Dual SSO8 (PG-TDSON-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2014
  • 認定
    Automotive
OPN
IPG20N04S409AATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This Dual SSO8 MOSFET can replace two DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. The bond wire is 200um and the current capability is 20A. This product is AEC Q101 qualified.

特長

  • Dual N-channel-Normal Level-Enhancement
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Large source lead for wire bonding
  • Equal performance to DPAK, same die size
  • Exposed pad for thermal transfer
  • 2 N-Channel MOSFETs; Isolated Leadframes

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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