Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ65R008CM8

650 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
パッケージ

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IPDQ65R008CM8
IPDQ65R008CM8
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    270 A
  • IDpuls max
    1100 A
  • QG (typ @10V)
    375 nC
  • QG
    375 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    6.66664 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
推奨
OPN
IPDQ65R008CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 650 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including C7 and CFD7. It comes with better efficiency compare to its predeccesor. 650 V CoolMOS™ 8 offers the additional 50 V buffer to fulfill the requirement of higher power applications. Beside these advantages, it also includes fast body diode across whole portfolio.

機能

  • Best-in-class RDS(on)*A
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • Top side cooling Q-DPAK package
  • 12000 cycle TCoB
  • Minimized cost of maintenance

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Simplified portfolio
  • Reduced assembly cost
  • Space reduction
  • SMT compatible

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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