Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPD60R600CM8

IPD60R600CM8 600 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
EA.
在庫あり

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IPD60R600CM8
IPD60R600CM8
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    5 A
  • IDpuls max
    14 A
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • QG
    6 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    500 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • パッケージ
    DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.28
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
推奨
OPN
IPD60R600CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.It comes with reduced gate charge (Qg) of 20% over CFD7, reduction in turn-off losses (Eoss) is further improved by 12% over CFD7, reverse recovery charge (Qrr) is 3% lower compared to the CFD7, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • Best-in-class RDS(on)*A
  • Significant reduction of losses
  • Excellent commutation ruggedness
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • ESD protection

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Low ringing tendency
  • Simplified thermal management
  • Simplified portfolio

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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