Active and preferred
RoHS準拠

IPB80N06S2L-11

55 V, N-Ch, 10.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    158 W
  • QG (typ @10V) max
    80 nC
  • QG (typ @10V)
    62 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10.7 mΩ
  • RthJC max
    0.95 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.76
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™
  • 極性
    N
  • 発売年
    2006
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPB80N06S2L11ATMA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • N-Channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (lead free)
  • Ultra low RDS(on)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Lowest RDS(on) at 55V in planar tech
  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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