Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMDQ75R007M2H

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK top-side cooled package, 7 mΩ
データシート
パッケージ
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IMDQ75R007M2H
IMDQ75R007M2H
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    222 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    7 mΩ
  • RthJC max
    0.19 K/W
  • VDS max
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMDQ75R007M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers improved switching performance, reduced losses, and enhanced thermal management. With a 25% increase in switching speed and up to 35% improved Figure-of-Merits compared to Generation 1, it enables more efficient, compact, and reliable systems for industrial applications. The ultra-low RDS(on) value of 7 mΩ makes it ideal for static switching applications like eFuse and solid-state circuit breakers.

機能

  • 100% avalanche tested
  • Best‑in‑class RDS(on) x Qfr
  • Excellent RDS(on) x Qoss & RDS(on) x QG
  • Unique low Crss/Ciss & high VGS(th)
  • Improved package interconnect with .XT
  • Driver source pin available

利点

  • Enhanced robustness and reliability
  • Superior efficiency in hard switching
  • Higher switching frequency
  • Robustness against parasitic turn on
  • Best‑in‑class thermal dissipation
  • Reduced switching losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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