Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMBF170R650M1

CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IMBF170R650M1
IMBF170R650M1
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    422 pF
  • Coss
    12 pF
  • ID (@25°C) max
    7.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    88 W
  • Qgd
    3.3 nC
  • QG
    8 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    650 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.1 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1700 V
  • パッケージ
    TO-263-7
  • ピン数
    7 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMBF170R650M1XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

機能

  • Optimized for fly-back topologies
  • Extremely low switching loss
  • 12 V / 0 V gate-source voltage
  • Compatible with fly-back controller
  • Fully controllable dV/dt
  • SMD package
  • Enhanced creepage distances > 7 mm
  • And clearance distances, > 7 mm

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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