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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IKP30N65H5

生産終了
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package
データシート
パッケージ

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IKP30N65H5
IKP30N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    35 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    55 A
  • ICpuls (最大)
    90 A
  • IF (最大)
    36 A
  • IFpuls (最大)
    90 A
  • Irrm
    14.3 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    410 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    4 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    30 kHz ～ 100 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP30N65H5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High Speed 650 V, 30 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to our HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Co-packed with rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coeffi. VCE(sat)
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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