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RoHS準拠
鉛フリー

IGW30N60H3

600 V, 30 A IGBT Discrete in TO-247 package
EA.
在庫あり

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IGW30N60H3
IGW30N60H3
EA.

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.6 mJ
  • Eon
    0.94 mJ
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • ICpuls max
    120 A
  • Ptot max
    187 W
  • QGate
    165 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    239 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    30 ns
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE max
    600 V
  • Switching Frequency
    20 kHz to 100 kHz
  • Package
    TO-247
  • Technology
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IGW30N60H3FKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High speed 600 V , 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

機能

  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior with Low EMI
  • Optimized diode for target applica.
  • Low gate resistor selection possible
  • Excellent switching behaviour
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode

利点

  • Low switching and conduction losses
  • Very good EMI behavior
  • Best-in-class 600 V IGBT efficiency
  • High current density

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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