IGT65R045D2
Active and preferred
RoHS対応

IGT65R045D2

CoolGaN™ トランジスタ650 V G5
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IGT65R045D2
IGT65R045D2
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    38 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    76 A
  • QG
    6 nC
  • RDS (on) (typ)
    45 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    54 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • ファミリー
    CoolGaN™ Transistor 650 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGT65R045D2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IGT65R045D2 GaNパワートランジスタは、高周波動作時の効率を向上させます。CoolGaN™ 650 V G5ファミリーの製品として最高水準の品質基準を満たしており、優れた効率と高い信頼性を備えた設計を実現します。底面放熱TOLLパッケージを採用し、さまざまな産業アプリケーションで最適な放熱を実現するよう設計されています。

特長

  • 650 V eモード パワー トランジスタ
  • 超高速スイッチング
  • 逆回復電荷なし
  • 逆方向導通が可能
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • 優れたハードコミュテーション耐性
  • 低い動的RDS(on)
  • 高いESD耐性: 2 kV HBM、1 kV CDM
  • 底面放熱パッケージ
  • JEDEC認定 (JESD47、JESD22)

利点

  • 高い動作周波数に対応
  • 最高レベルのシステム効率を実現
  • 超高電力密度設計を実現
  • BOMコスト削減に対応
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }