IGI60L5050B1M
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IGI60L5050B1M

500 mΩ / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
データシート
個.
在庫あり

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IGI60L5050B1M
IGI60L5050B1M
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • ID (@25°C) (最大)
    3 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    6.7 A
  • QG
    0.52 nC
  • RDS (on) (typ)
    500 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • パッケージ
    LGA 6x8
  • ファミリー
    CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IGI60L5050B1MXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TFLGA-27
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TFLGA-27
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IGI60L5050B1M combines a half-bridge power stage consisting of two CoolGaN™ Transistors 600 V / 500 mΩ (RDS(on) typ.) with an integrated level-shift gate driver and a bootstrap diode in a small 6x8 mm TFLGA-27 package.

特長

  • Integrated level shift gate driver
  • Integrated bootstrap diode
  • PWM input compatible
  • Wide VDD range (10 to 24 V)
  • Turn-ON & OFF dv/dt slew rate control
  • Zero Qrr

利点

  • 4x reduction in components count
  • 2x reduction of footprint on a PCB

  • Reduced cost
  • Reduced weight
  • Reduced complexity

アプリケーション

電源アダプターと充電器
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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