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IGI60L5050A1M
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IGI60L5050A1M

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製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    3.9 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    6.4 A
  • QG
    0.58 nC
  • RDS (on) (typ)
    500 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGI60L5050A1M
OPN
IGI60L5050A1MXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 LGA-27 (002-35182)
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 LGA-27 (002-35182)
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IGI60L5050A1M combines a half-bridge power stage consisting of two GaN HEMTs with level shifters in a small 6 x 8 mm PG-TFLGA-27-2 package. The device uses the Infineon CoolGaN™ GIT which offers the highest Figure-of-Merit (FOM) and robustness. The internal bootstrap diode means that with minimal external components, designers can achieve full control to tune the rise/fall times while maintaining a simple system BOM. This is ideally suited to support the design of compact appliances in the low power applications.

特長

  • Integrated driver with bootstrap diode
  • Application configurable switching behavior
  • Low profile TFLGA 6x8 package

利点

  • Low system BOM
  • Configurability of gate path with low inductance loop on PCB for optimizing of motor control
  • Allows short dead-time for maximum system efficiency 
  • Small package for compact system design by integration of bootstrap diode

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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