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Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGC100T75H12RYA

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インフィニオンの最先端Si IGBT技術のパワーを解き放つ
データシート

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IGC100T75H12RYA
IGC100T75H12RYA
データシート

Product details

  • ICn
    320 A
  • Tvj [°C]
    -40 to 185
  • VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/200A)
    1.15 V
  • VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/320A)
    1.29 V
  • VCE(sat) (Tvj=185°C @15V/200A)
    1.2 V
  • VCE
    750 V
推奨
OPN
IGC100T75H12RYAX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
当社の最新のEDT3デバイスは、750 Vおよび1200 Vの電圧クラスを提供し、低コストで高性能な車両のメインインバーター アプリケーション向けに前例のない出力電流を実現します。特定のアプリケーション要件に合わせたカスタム電源モジュールを設計および製造できる当社の Si IGBT およびダイオード ソリューションは、自動車環境を変革し、パフォーマンス、効率、信頼性を新たな高みに引き上げます。

機能

  • クラス最高の電流密度
  • 470 V VDC システムに対応
  • 最大接合温度 185 °C
  • 高速スイッチング速度
  • 非常に低いVCESAT
  • 非常に低いスイッチング損失
  • ショートテール電流
  • 非常にタイトなパラメーター分布
  • 短絡耐性 tsc = 3 µs
  • AEC-Q101 に準拠した製品検証

利点

  • 自動車要件に最適
  • 750 Vおよび1200 Vクラス
  • カスタマイズ開発(オンデマンド)
  • 出力電流密度を最大25%向上>
  • 損失の減少と最大値の増加Tvj
  • モジュールの小型化による費用対効果
  • システムレベルでアンペアあたりのコストが低い
  • 並列化の労力とコストが削減
  • 高い信頼性と品質
  • ドロップイン交換品
  • シンプルなゲートドライブ設計

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }