IGB20N60H3
アクティブ
RoHS対応

IGB20N60H3

600 V, 20 A IGBT3 in TO263 D2Pak package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IGB20N60H3
IGB20N60H3
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.24 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    20 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    40 A
  • ICpuls (最大)
    80 A
  • Ptot (最大)
    170 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    14.6 Ω
  • td(off)
    194 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    11 ns
  • tr
    20 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • スイッチング周波数
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    20 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IGB20N60H3ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
High speed 600 V , 20 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

特長

  • Low switching losses
  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior with Low EMI
  • Optimized diode for target applica.
  • Low gate resistor selection possible
  • Excellent switching behaviour
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode

利点

  • Low switching and conduction losses
  • Very good EMI behavior
  • Best-in-class 600 V IGBT efficiency
  • High current density
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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