IGB110S10S1Q
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IGB110S10S1Q

CoolGaN™ Automotive Transistor 100 V G1 in PQFN 3x3, 11 mΩ
データシート
パッケージ

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IGB110S10S1Q
IGB110S10S1Q
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    210 A
  • QG
    3.4 nC
  • RDS (on) (typ)
    9.4 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • パッケージ
    PQFN 3x3
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IGB110S10S1QXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
The IGB110S10S1Q is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. The device is qualified according to the AEC-Q101 standard and thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in a broad range of automotive applications.

特長

  • AEC-Q101 qualified
  • 100 V e-mode power transistor
  • Dual-side cooled package
  • No reverse recovery charge
  • Ultra-low figures of merit

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ