リクエスト対応可能
RoHS準拠
鉛フリー

IGB110S10S1Q

CoolGaN™ Automotive Transistor 100 V G1 in PQFN 3x3, 11 mΩ
データシート
パッケージ

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IGB110S10S1Q
IGB110S10S1Q
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    23 A
  • IDpuls (@25°C) max
    210 A
  • QG
    3.4 nC
  • RDS (on) (typ)
    9.4 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Automotive
OPN
IGB110S10S1QXTMA1
製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-4
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IGB110S10S1Q is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. The device is qualified according to the AEC-Q101 standard and thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in a broad range of automotive applications.

機能

  • AEC-Q101 qualified
  • 100 V e-mode power transistor
  • Dual-side cooled package
  • No reverse recovery charge
  • Ultra-low figures of merit

利点

  • Best-in-class power density
  • Highest efficiency
  • Improved thermal management
  • Enabling smaller and lighter designs
  • Excellent reliability
  • Lowering BOM cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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