IDWD10G120C5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDWD10G120C5

1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-2 package
データシート

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IDWD10G120C5
IDWD10G120C5
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    140 A
  • IF (最大)
    35 A
  • IR
    6 A
  • Ptot (最大)
    148 W
  • QC
    57 nC
  • RthJC
    0.68 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-2
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDWD10G120C5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TO247-2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO247-2
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 10 A G5 in a TO-247 real 2-pin package, for easy exchange of bipolar Si diodes. The expanded 8.7 mm creepage and clearance distances offer extra safety in high-pollution environments. Combined with a Si IGBT or super-junction MOSFET a CoolSiC™ diode raises efficiency up to 1% compared to next best Si diode alternative. The output power of PFC and DC-DC stages can thus be increased, by 40% or more.

特長

  • No reverse recovery current
  • No forward recovery voltage
  • Temp.-independ. switching behavior
  • Low forward voltage*
  • *even at high operating temperature
  • Tight forward voltage distribution
  • High surge current capability
  • Real two-pin package
  • 8.7 mm creepage distances
  • 8.7 mm clearance distances
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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