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IDW80C65D2

650 V IGBT silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫㝂り

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IDW80C65D2
IDW80C65D2
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    250 A
  • IF
    40 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    3.6 A
  • Ptot max
    180 W
  • Qrr
    0.18 µC
  • RthJC max
    0.84 K/W
  • trr
    68 ns
  • VF
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Common Cathode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
IDW80C65D2XKSA1
製哝ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ坝 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫㝂り

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ坝 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫㝂り
Rapid 2 switching 650 V, 80 A emitter controlled power silicon diodes in common cathode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs.

機能

  • 1.35 V temperature-stable VF
  • Highest softness-factor for:
  • Highest softness-factor for:
  • Low EMI filtering
  • For 18 kHz to 40 kHz applications
  • Lowest Irrmfor:
  • Lowest losses on boost switch
  • Low thermal resistance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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