Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDW30G120C5B

1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-247-3 package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IDW30G120C5B
IDW30G120C5B
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    240 A
  • IF max
    30 A
  • IR
    17 µA
  • Ptot max
    332 W
  • QC
    154 nC
  • RthJC
    0.35 K/W
  • VF
    1.4 V
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDW30G120C5BFKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 30 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

機能

  • Best-in-class forward voltage (VF)
  • No reverse recovery charge
  • Mild positive temp. depend. of VF
  • Best-in-class surge current capab.
  • Excellent thermal performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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