Active and preferred
RoHS準拠

IAUTN15S6N038T

150V, N-Ch, 3.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15), OptiMOS™ 6
データシート
パッケージ

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IAUTN15S6N038T
IAUTN15S6N038T
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    170 A
  • IDpuls
    602 A
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.8 mΩ
  • RthJC
    0.6 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLT (PG-HDSOP-16-1)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-6
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN15S6N038TATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IAUTN15S6N038T is built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology OptiMOS™ 6 150V. It is offered in our versatile, robust, high current TOLT 10x15 mm² SMD package and designed for high performance, high quality and robustness needed for demanding automotive applications. Key characteristics include RoHS compliance, MSL1 rating, automotive quality beyond AEC-Q101, PPAP capability, and delivery in tape and reel format.

機能

  • Breakdown voltage of 150V
  • Low RDS(on) → lowest conduction losses
  • N-ch.-Enhancement mode-Normal Level
  • Tight distribution of VGS(th)
  • 175°C operating temperature
  • High avalanche capability

利点

  • High power density
  • By far industry’s lowest RDS(on)
  • High ID for high-power applications
  • High switching performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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