Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V20A-DGQ

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM25V20A-DGQ
FM25V20A-DGQ
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    33 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25V20A-DGQ
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25V20A-DGQは2-Mbit（256 K x 8）シリアルF-RAMメモリで、拡張温度対応、10兆回の読み書き耐久性と85°Cで121年のデータ保持を実現。動作電圧は2.0 V～3.6 V、NoDelay™高速書き込み、SPI最大33 MHz（モード0/3対応）。低消費電力（3.0 mA動作、400 µA待機、12 µAスリープ）、高度なハード/ソフトウェア書き込み保護を備え、産業や医療など頻繁かつ迅速な不揮発性データ保存用途に最適。8ピンDFNパッケージ、RoHS準拠、動作温度-40°C～+105°C。

特長

  • 2-Mbit F-RAM、256 K x 8構成
  • 10^14回の読書き耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大33 MHzのSPIインターフェース
  • 低消費電力：3.0 mA動作、12 µAスリープ
  • VDD動作範囲2.0–3.6 V
  • 拡張温度：–40°C～+105°C
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • バス速度で順次読書き
  • シリアルフラッシュ/EEPROM互換
  • メーカー・製品ID搭載

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書込遅延ゼロで即時保存
  • 多書込用途でも摩耗なし
  • 高温下でも長期データ保持
  • SPI高速でシステム効率向上
  • 動作/スリープで省エネ
  • 2.0–3.6 V設計に柔軟対応
  • 過酷環境でも安定動作
  • 誤操作からデータを保護
  • フラッシュ/EEPROM置換容易
  • デバイス認証を実現
  • 長寿命・メンテ不要を実現

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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