Active and preferred
RoHS準拠

FM25V10-GTR

High-Density 1 Mbit SPI F-RAM with Industrial Qualification
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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FM25V10-GTR
FM25V10-GTR
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25V10-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The FM25V10-GTR is a 1-Mbit nonvolatile memory employing advanced ferroelectric technology, providing reliable data retention for 151 years. With write operations at bus speed and substantial endurance, it is ideal for applications requiring frequent or rapid writes, such as data collection and industrial controls, addressing the limitations of serial flash and EEPROM.

機能

  • 1-Mbit F-RAM logically organized as 128K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention 
  • NoDelay™ writes 
  • Advanced high-reliability ferroelectric process 
  • Very fast serial peripheral interface (SPI) 
  • Sophisticated write protection scheme
  • Device ID and Serial Number
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
  • Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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