Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V02A-G

High-Density 256kBit SPI FRAM Module | 40MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM25V02A-G
FM25V02A-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25V02A-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25V02A-Gは256 Kbit（32K × 8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、最大40 MHzのSPIインターフェースを備えます。1014回の高耐久読書きサイクルと65°Cで151年のデータ保持。動作電圧2.0 V～3.6 V、温度範囲-40°C～+85°C、書き込み即時保存、先進の保護、低消費電力を備え、産業用や制御用途など頻繁な書き込みに最適です。8ピンSOICおよびDFNパッケージで提供され、RoHS準拠。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 100兆回の読書/書込耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス即時書込
  • 最大40 MHzのSPIクロック
  • SPIモード0/3対応
  • ハードウェア書込保護（WPピン）
  • ソフトウェア書込禁止
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • メーカー/製品ID搭載
  • 低動作（2.5 mA）・待機（150 μA）・スリープ（8 μA）電流
  • 2.0 V～3.6 V動作電圧

利点

  • 電源断後もデータ保持
  • 頻繁な書込に強い耐久性
  • 151年の長期保存
  • 書込遅延ゼロで高速応答
  • 40 MHz SPIで高速アクセス
  • 柔軟なインターフェース
  • 誤書込を防止
  • ソフト/ハード両面の保護
  • 重要データの分割保護
  • 製品管理が容易
  • 低消費で電池長持ち
  • 幅広い電圧で多用途対応

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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