Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V02A-G

High-Density 256kBit SPI FRAM Module | 40MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM25V02A-G
FM25V02A-G
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25V02A-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
FM25V02A-G is a high-performance 256-Kbit nonvolatile memory with advanced ferroelectric technology. Boasting reliable data retention for 151 years and lightning-fast write operations at bus speed, it outperforms EEPROM by up to 100 million times, making it ideal for applications requiring frequent or rapid writes, from data logging to industrial controls.

機能

  • 256-Kbit F-RAM logically organized as 32K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Sophisticated write-protection scheme
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation

利点

  • Hardware drop-in replacement
  • High-Speed SPI bus
  • Read-Only device ID
  • Industrial temperature range -40°C to 85°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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