Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24CL04B-G

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM24CL04B-G
FM24CL04B-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24CL04B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24CL04B-Gは4-Kbit（512×8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、業界標準I2Cインターフェースと最大1 MHzのNoDelay™高速書き込みを備えています。動作電圧は2.7 V～3.65 V、消費電力は100 μA@100 kHz、3 μAスタンバイ、1014回の読書きサイクルと65°Cで151年のデータ保持を保証。8ピンSOICパッケージでシリアルEEPROMのドロップイン置換が可能。データロギングや産業用制御など頻繁な書き込み用途に最適で、–40°C～+85°Cで仕様保証。

特長

  • 4-Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 低消費電力：100 μA動作、3 μA待機
  • VDD動作電圧：2.7 V～3.65 V
  • 工業用温度範囲：–40°C～+85°C
  • 入出力ノイズ耐性（シュミットトリガ）
  • 書き込み保護ピンでデータ保護
  • I2C EEPROMと互換性
  • 100/400 kHzレガシータイミング対応

利点

  • 電源断後もデータが安全
  • 頻繁な高速データ記録に最適
  • 書き込み遅延ゼロで高速
  • システム消費電力を削減
  • I2C EEPROM設計に簡単置換
  • 長寿命で重要用途に最適
  • 過酷な環境下でも動作
  • 誤書き防止でデータ保護
  • 新旧システムに対応
  • ノイズ耐性で信号信頼性向上
  • 書き込み後のポーリング不要
  • システム信頼性向上

用途

EV充電

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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