Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24C16B-GTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM24C16B-GTR
FM24C16B-GTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24C16B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24C16B-GTRは16-Kbitシリアル強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）で、標準I2Cインターフェースを備え、頻繁な不揮発性データ書き込みに最適です。NoDelay™書き込み性能、100兆（1014）回の読書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持を実現。動作電圧4.5 V～5.5 V、温度範囲-40°C～+85°C、100 μA（100 kHz）動作電流、4 μA待機電流。8ピンSOICパッケージ、RoHS準拠で、信頼性の高いEEPROM代替品です。

特長

  • 16-Kbit F-RAM（2K × 8構成）
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 動作電流100 μA（100 kHz）
  • 待機電流4 μA（標準）
  • VDD範囲4.5 V～5.5 V
  • 工業温度–40°C～+85°C
  • 書き込み保護ピン搭載
  • ESD耐性2 kV（HBM）、500 V（CDM）
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延ゼロでリアルタイム
  • 100年以上の信頼性
  • I2C EEPROMと互換
  • 低消費電力で動作
  • 待機時の電力消費を抑制
  • 過酷な環境でも動作
  • 誤書きからデータ保護
  • 高ESD/ラッチアップ耐性
  • 100/400 kHz I2C対応
  • 書き込み後のポーリング不要
  • 長寿命用途に最適

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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