Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24C04B-G

EA.
個の在庫あり

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FM24C04B-G
FM24C04B-G
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM24C04B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24C04B-Gは512 × 8ビット構成の4-Kbit鉄電ランダムアクセスメモリ(F-RAM)で、I2Cインターフェース経由でアクセス可能です。NoDelay™バス速度書き込みを実現し、EEPROMに必要な書き込み遅延を排除。100兆(1014)回の読書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を提供。4.5 V~5.5 V動作、100 μA(100 kHz)低消費電流、4 μAスタンバイ、AEC-Q100 Grade 3認証(–40°C~+85°C)。頻繁・高速書き込み用途に最適です。

特長

  • 4-Kbit(512×8)不揮発性F-RAM
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 μA低動作電流(100 kHz)
  • 4 μA標準スタンバイ電流
  • VDD動作:4.5 V~5.5 V
  • 工業温度:–40°C~+85°C
  • 書き込み保護ピン
  • シュミットトリガー入力で耐ノイズ
  • ESD保護:2 kV HBM,500 V CDM

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延なしで高速化
  • 長期信頼のデータ保存
  • 低消費で電池長持ち
  • I2C EEPROMと互換
  • 過酷な工業環境でも動作
  • 書き込み保護でデータ安全
  • ESD対策で故障リスク低減
  • 耐ノイズ入力で安定動作
  • 書き込み後のポーリング不要
  • 多様なI2C速度に対応
  • 高耐久で保守コスト削減

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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