Active and preferred
RoHS準拠

FM22L16-55-TG

Industrial-grade 4096kBit Parallel FRAM with 55ns speed, ensuring reliable performance in a wide temperature range of -40°C to 85°C.
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM22L16-55-TG
FM22L16-55-TG
EA.
データシート

Product details

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
FM22L16-55-TG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Experience over 151 years of data retention with the FM22L16 256K × 16 nonvolatile memory. Its fast write timing, high endurance, and nonvolatile nature eliminate reliability concerns, making it an ideal drop-in replacement for standard SRAM, ensuring superior performance in applications requiring frequent or rapid writes.

機能

  • Configurable as 512K × 8 using UB and LB
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Page mode operation to 25 ns cycle time
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • SRAM compatible
  • 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

利点

  • Drop-in replacement for standard SRAM
  • Flexibility in triggering read/write cycles
  • Nonvolatile nature due to ferroelectric process
  • Ideal for frequent or rapid writes
  • Low voltage monitor for data protection
  • Software-controlled write protection
  • Memory array divided into individually write-protected blocks

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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