Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM18W08-SG

データシート
パッケージ
EA.
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FM18W08-SG
FM18W08-SG
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推奨
OPN
FM18W08-SG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM18W08-SGは256 Kbit（32 K × 8）バイト幅の強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）で、即時書き込みと100兆回の高耐久性を備えた不揮発性ストレージです。動作電圧は2.7 V～5.5 V、動作温度範囲は–40°C～+85°C、65°Cで最大151年間のデータ保持が可能です。70 nsアクセス時間、28ピンSOICパッケージ、低消費電力を特徴とし、産業用、計測、データロギング用途の高頻度書き込みや高信頼性に適しています。

特長

  • 32 K × 8バイト幅F-RAMメモリ
  • 電源断でもデータ保持
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • +65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書き込み、SRAM同等速度
  • 業界標準パラレルインターフェース
  • 70 nsアクセス、130 nsサイクル
  • 2.7 V～5.5 Vの広電圧動作
  • 最大12 mA動作、20 μA待機
  • SRAM/EEPROMピン互換
  • 衝撃・振動・湿気に強い
  • 強信頼性の強誘電体プロセス

利点

  • バックアップ電池不要
  • 頻繁な高速データ記録に最適
  • SRAM/EEPROMから置換可能
  • 書き込み遅延なし即時更新
  • 過酷環境でも安定動作
  • 低消費でバッテリー長持ち
  • 設計簡素化、ポーリング不要
  • 長寿命で保守手間削減
  • 読み書き速度が一定
  • 広電圧で多機種対応
  • 高耐久で集中的な用途に最適
  • 電圧変動にも強い

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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