Active and preferred
RoHS準拠

FF8MR12W1M1H_B70

CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF8MR12W1M1H_B70
FF8MR12W1M1H_B70
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.1 mΩ
  • アプリケーション
    ESS, EV Charger, Solar, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 特長
    PressFIT, AlN
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール、1200 V、8 mΩ G1、NTC温度センサー内蔵、PressFITコンタクトテクノロジー、窒化アルミニウムセラミック。

特長

  • クラス最高の高さ12.25 mm
  • 最先端のWBG材料
  • 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
  • 強化されたCoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • 強化された1トレンチテクノロジーを採用
  • 拡大されたゲート駆動電圧ウィンドウ
  • 15～18Vおよび0～-5Vの電圧範囲
  • 拡張された最大ゲート-ソース電圧
  • +23 Vおよび-10 Vのゲート-ソース電圧
  • Tvjop: 最大175℃の過負荷状態
  • NTC温度センサー内蔵

利点

  • Outstanding module efficiency
  • System cost advantages
  • System efficiency improvement
  • Reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency
  • Increase of power density
  • Thermal conductivity of DCB material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }