新規
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FF2000R17T2P8

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1700 V/2000 A ハーフブリッジIGBTモジュール
データシート

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FF2000R17T2P8
FF2000R17T2P8
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    2000 A
  • IC (最大)
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.95 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    XHP™ 2
  • 寸法 (length)
    140 mm
  • 寸法 (width)
    99.8 mm
  • 技術
    IGBT8 - P8
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V
推奨
OPN
FF2000R17T2P8BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
XHP™ 2 1700 V/2000 AハーフブリッジIGBTモジュール: 改良されたIGBT8およびEC8チップセット、高い電力密度と熱管理性能により効率が向上。

特長

  • 対称的なモジュール設計
  • 低インダクタンス パッケージ
  • 銅 (Cu) ベースプレート
  • 並列接続性を向上させるIGBT8の低ゲート電荷QG
  • EmCon 8の高いソフトリカバリ特性によりクリーンなスイッチングを実現
  • 熱サイクル性能を向上させ、最高性能を実現する高性能セラミック
  • 連続動作温度 (Tvj = 175 ℃)

利点

  • 高電力密度
  • エネルギー効率
  • 熱性能の向上
  • スイッチング損失と導通損失の低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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