FF2000R17T2P8
新規
Active and preferred
RoHS対応

FF2000R17T2P8

新規
1700 V、2000 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF2000R17T2P8
FF2000R17T2P8
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    2000 A
  • IC (最大)
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.95 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    XHP™ 2
  • 寸法 (length)
    140 mm
  • 寸法 (width)
    99.8 mm
  • 技術
    IGBT8 - P8
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V
推奨
OPN
FF2000R17T2P8BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
XHP™ 2 1700 V/2000 AハーフブリッジIGBTモジュール: 改良されたIGBT8およびEC8チップセット、高い電力密度と熱管理性能により効率が向上。

特長

  • 対称的なモジュール設計
  • 低インダクタンス パッケージ
  • 銅 (Cu) ベースプレート
  • 並列接続性を向上させるIGBT8の低ゲート電荷QG
  • EmCon 8の高いソフトリカバリ特性によりクリーンなスイッチングを実現
  • 熱サイクル性能を向上させ、最高性能を実現する高性能セラミック
  • 連続動作温度 (Tvj = 175 ℃)

利点

  • 高電力密度
  • エネルギー効率
  • 熱性能の向上
  • スイッチング損失と導通損失の低減
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }