DF80R12W2H3F_B11
Active and preferred
RoHS対応

DF80R12W2H3F_B11

1200 V, 80 A booster IGBT module
データシート
個.
在庫あり

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DF80R12W2H3F_B11
DF80R12W2H3F_B11
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データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    80 A
  • IC (最大)
    80 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Booster
  • パッケージ
    EasyPACK™ 2B
  • 寸法 (length)
    56.7 mm
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 技術
    IGBT3 - H3
  • 特長
    PressFIT, SiC Schottky diode
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
DF80R12W2H3FB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 -
梱包サイズ 15
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyPACK™ 2B 1200 V, 160 A chopper IGBT module with CoolSiC™ Schottky diode 1200V , PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

特長

  • Low switching losses
  • Al2O3 substrate
  • Integrated NTC temperature sensor

アプリケーション

太陽光発電
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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