DF200R12W1H3_B27
Active and preferred
RoHS対応

DF200R12W1H3_B27

1200 V, 200 A booster IGBT module
データシート

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DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.3 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • コンフィギュレーション
    Booster
  • パッケージ
    EasyPACK™ 1B
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 寸法 (length)
    48 mm
  • 技術
    IGBT3 - H3
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
推奨
OPN
DF200R12W1H3B27BOMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
EasyPACK™ 1B 1200 V, 200 A booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

特長

  • High Speed IGBT H3
  • Low switching losses
  • Fast Silicon diode 1200V
  • Al2O3 substrate
  • Integrated NTC temperature sensor
  • PressFIT contact technology

アプリケーション

太陽光発電
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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