CYPT15B102N-GGMB

Infineon’s radiation hardened 2 Mb non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) memory offers the utmost reliability and performance for extreme environments.

データシート

CYPT15B102N-GGMB

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

2 MBit
インダクタンス

Parallel
デバイスの重量

1716.9 mg
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

F-RAM
リードボール仕上げ

Au
動作温度範囲

-55 °C～125 °C
動作電圧範囲

2 V～3.6 V
組織 (X x Y)

128Kx16
認定

Military

	推奨
OPN	CYPT15B102N-GGMB
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	CG-FP-44
パッケージ名	CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ	1
梱包形態	CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル)	1
防湿梱包	NON DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	CG-FP-44
パッケージ名	CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ	1
梱包形態	CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル)	1
防湿梱包	NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

Our rad hard F-RAM is one of the industry’s lowest power, non-volatile memory solutions that is Single Event Upset (SEU) immune and virtually unlimited endurance. Infineon’s instant non-volatile write technology and greater than 100-year data retention provides the highest reliability for space applications. For flight devices, order DLAM QML-V part 5962R2321301VXC

特長

2 Mb density, (128K x 16)
10-trillion read/write cycles
120 years data retention at +85°C
Low programming voltage (2V)
2.0 V–3.6 V operating range
Low operating current (20 mA max)
–55°C to +125°C military grade
44-pin ceramic TSOP (CTSOP)
Prototype for flight devices

アプリケーション

デザインリソース

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CYPT15B102N-GGMB

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特長

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デザインリソース

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