Active and preferred
RoHS準拠

CYPT15B102N-GGMB

Infineon’s radiation hardened 2 Mb non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) memory offers the utmost reliability and performance for extreme environments.
データシート

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CYPT15B102N-GGMB
CYPT15B102N-GGMB
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Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インダクタンス
    Parallel
  • デバイスの重量
    1716.9 mg
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    F-RAM
  • リードボール仕上げ
    Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kx16
  • 認定
    Military
推奨
OPN
CYPT15B102N-GGMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ CG-FP-44
パッケージ名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ CG-FP-44
パッケージ名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Our rad hard F-RAM is one of the industry’s lowest power, non-volatile memory solutions that is Single Event Upset (SEU) immune and virtually unlimited endurance. Infineon’s instant non-volatile write technology and greater than 100-year data retention provides the highest reliability for space applications. For flight devices, order DLAM QML-V part 5962R2321301VXC

機能

  • 2 Mb density, (128K x 16)
  • 10-trillion read/write cycles
  • 120 years data retention at +85°C
  • Low programming voltage (2V)
  • 2.0 V–3.6 V operating range
  • Low operating current (20 mA max)
  • –55°C to +125°C military grade
  • 44-pin ceramic TSOP (CTSOP)
  • Prototype for flight devices

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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