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CYPT1069G30-10FZMB

インフィニオンの耐放射線メモリソリューション向けECC搭載16 Mb高速非同期SRAM
データシート
パッケージ

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CYPT1069G30-10FZMB
CYPT1069G30-10FZMB
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • パッケージ
    FLATPACK-36 (001-67583)
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 8
  • 認定
    Military
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
インフィニオンの16 Mb非同期SRAMファミリーは、インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されており、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。16 Mb高速SRAMは、2 Mビットx8ビットとして構成されたECCを備えた高性能、低消費電力のSRAMです。当社のRADSTOP™メモリ ソリューションは、サイズ、重量、電力 (SWaP) の利点と設計の柔軟性を高めながら、システム全体のコンピューティングの限界を高めます。

特長

  • 16 Mb密度、2M x 8
  • シングルビットエラー訂正用の組み込みECC
  • 10 nsのアクセス時間
  • 2.2 V～3.6 Vの動作電圧範囲
  • –55 °C～+125 °Cの軍用温度グレード
  • 36ピン セラミック フラット パック (CFP)
  • DLAM QML-V 認定
  • TID: 200 Krad
  • SEL: > 60 MeV.cm2/mg @ 95 °C
  • SEU: ≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day
  • プロトタイプ
  • 飛行装置、注文番号CYRS1069G30-10FZMB

利点

  • RADSTOP™テクノロジーを採用
  • 過酷な環境における信頼性の要求を満たす
  • 過酷な環境におけるライフサイクルの要求を満たす
  • システム全体のコンピューティング能力の限界を拡張する
  • サイズ、重量、電力 (SWaP) のメリットを提供
  • 設計の柔軟性の向上

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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