Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CYPT1049DV33-12FZMB

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CYPT1049DV33-12FZMB
CYPT1049DV33-12FZMB

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ~ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    3 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ~ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Military
  • 速度
    12 ns
OPN
CYPT1049DV33-12FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されたインフィニオンのFAST 4Mビット非同期スタティックRAMは、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。4MビットFAST SRAMは、512 Kワード x 8ビットで構成される高性能、低消費電力のSRAMです。

特長

  • 512 Kbit x8バス幅構成
  • 12 ns (125°C) のアクセス時間
  • 3.3 V動作電圧
  • 55°C~+125°C の軍用温度グレード
  • マルチビットエラーを排除するためのビットインターリーブ
  • 低いアクティブ電力
  • 低いCMOSスタンバイ電力
  • 2.0 Vデータ保持
  • 選択解除時に自動電源オフ
  • 36 ピン セラミック フラット パック (CFP)
  • プロトタイプ
  • フライトデバイス、注文番号 CYRS1049DV33-12FZMB

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }