CY7C1514KV18-250BZI
Active and preferred

CY7C1514KV18-250BZI

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1514KV18-250BZI
CY7C1514KV18-250BZI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    250 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2M x 36
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY7C1514KV18-250BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 680
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 680
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1514KV18-250BZIは72-MbitのQDR II同期パイプラインSRAMで、2M × 36構成、独立した読出し/書込みポートにより同時トランザクションとバスのターンアラウンド不要を実現します。DDR転送（2ワードバースト）に対応し、最大250 MHzで動作します。コアVDDは1.8 V ±0.1 V、VDDQは1.4 V～VDD。エコークロック、ZQによる出力インピーダンス調整、JTAG、PLLを内蔵します。

特長

  • 72-Mbit QDR II SRAMアーキ
  • 独立した読出/書込ポート
  • 読出し/書込み同時動作
  • 全アクセス2ワードバースト
  • DDR I/O：350 MHz/700 MHz
  • DOFF高：1.5サイクル遅延
  • DOFF低：1サイクル読出遅延
  • 入力K/K、出力C/Cクロック
  • CQ/CQエコークロック搭載
  • コアVDD 1.7-1.9 V
  • VDDQ 1.4 V～VDD
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • 高速ネット向け高帯域
  • バス切替待ちが不要
  • R/W同時でスループット向上
  • 2ワードでコマンド削減
  • 700 MHz DDRで転送高速化
  • 低レイテンシで厳しいタイミング
  • DOFFで遅延とパイプ選択
  • 分離クロックでタイミング容易
  • エコーで基板の取り込み容易
  • 1.8 Vコアで省電力化
  • HSTLで高速リンクに適合
  • JTAGで試験/デバッグ短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }