CY7C1061G30-10ZXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1061G30-10ZXE

データシート
パッケージ

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CY7C1061G30-10ZXE
CY7C1061G30-10ZXE
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mx16
  • 認定
    Automotive (E)
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1061G30-10ZXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY7C1061G30-10ZXE is a 16-Mbit (1 M × 16) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC that detects and corrects single-bit read errors. The 10 ns speed grade supports high-speed random access over 2.2 V to 3.6 V and Automotive-E operation from −40°C to 125°C. DC specs include ICC 160 mA max and ISB2 50 mA max. It supports byte writes via BLE/BHE and comes in a Pb-free 48-pin TSOP I.

特長

  • 16-Mbit SRAM (1M × 16)
  • Embedded ECC corrects 1-bit errors
  • Address access time tAA = 10 ns
  • 2.2 V to 3.6 V VCC supply
  • 1.0 V data retention mode
  • 20-bit address bus (A0 to A19)
  • 16-bit I/O bus (I/O0 to I/O15)
  • Byte write enables BLE/BHE
  • OE/CE control; outputs go high-Z
  • Input leakage ±5 µA
  • Output leakage ±5 µA
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • Stores 16-bit words without refresh
  • ECC cuts single-bit data corruption
  • 10 ns reads support fast processors
  • 2.2–3.6 V fits many power rails
  • Retain data at 1.0 V backup
  • 20-bit addressing simplifies mapping
  • 16-bit bus boosts bandwidth per access
  • Byte enables reduce write bandwidth
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • Low leakage reduces standby loss
  • Low leakage improves data integrity
  • High ESD improves handling robustness

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ