CY7C1061G30-10ZXE
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1061G30-10ZXE

データシート
パッケージ

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CY7C1061G30-10ZXE
CY7C1061G30-10ZXE
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mx16
  • 認定
    Automotive (E)
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1061G30-10ZXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1061G30-10ZXEは16-Mbit（1 M×16）の非同期CMOS SRAMで、内蔵ECCによりリード時の1ビット誤りを検出・訂正します。10 nsスピード品で高速ランダムアクセスに対応し、電源電圧2.2 V～3.6 V、Automotive-E（−40°C～125°C）で動作します。DC仕様はICC最大160 mA、ISB2最大50 mA。BLE/BHEのバイト書き込み対応で、Pbフリー48ピンTSOP Iです。

特長

  • 16 Mbit SRAM（1M×16）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • アドレスアクセスtAA=10 ns
  • VCC 2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • 20ビットA0～A19
  • 16ビットI/O0～I/O15
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • OE/CE制御で出力Hi-Z
  • 入力リーク±5 µA
  • 出力リーク±5 µA
  • ESD>2001 V（MIL-STD-883）

利点

  • 16ビット語をリフレッシュ不要
  • ECCで単ビット破損を低減
  • 10 ns読出しで高速CPU対応
  • 2.2～3.6 V電源に適合
  • 1.0 Vバックアップで保持
  • 20ビットでメモリ割付簡単
  • 16ビットでアクセス帯域向上
  • バイト書込みで転送量削減
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • 低リークで待機損失を低減
  • 低リークで信頼性を向上
  • 高ESDで取扱い耐性向上
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ