CY7C1011G30-12ZSXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1011G30-12ZSXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1011G30-12ZSXE
CY7C1011G30-12ZSXE
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    12 ns
推奨
OPN
CY7C1011G30-12ZSXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1011G30-12ZSXEは2 Mbit（128K×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用のECCを内蔵します。AEC-Q100適合で、2.2 V～3.6 V動作、Automotive-E温度範囲−40°C～125°Cに対応。12 ns品は44ピンTSOP IIパッケージで提供され、BLE/BHEによるバイト読出し/書込みをサポート。VCC=3.6 VでICC典型40 mA、ISB2典型6 mAです。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • ECC内蔵、1ビット訂正
  • 読出しサイクルtRC 10 ns
  • OE→データtDOE 4.5 ns
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 電源VCC 2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • CE自動パワーダウン
  • 待機電流ISB2 6 mA typ
  • 未選択でI/OはハイZ
  • TTL互換入力/出力
  • SER < 0.1 FIT/Mb

利点

  • 2 Mbitでコード/データ格納
  • ECCでビット反転に強い
  • 10 ns動作で高速アクセス
  • OE 4.5 nsで読出し遅延低減
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 2.2–3.6 Vで3.3 V系に対応
  • 低VCCでもデータ保持可能
  • 自動PDでアイドル電力低減
  • 待機6 mAで電源設計が容易
  • ハイZでバス共用が簡単
  • TTL互換で接続が容易
  • 低SERで信頼性を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ