CY62177EV30LL-55BAXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62177EV30LL-55BAXI

High-Density 32 Mbit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Temperature Range
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62177EV30LL-55BAXI
CY62177EV30LL-55BAXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    32 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推奨
OPN
CY62177EV30LL-55BAXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2100
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2100
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62177EV30LL-55BAXIは32-Mbit CMOS SRAMで、2M×16または4M×8の非同期リード/ライトに対応し、電池駆動システムに適します。電源2.2 V～3.6 V、動作温度-40°C～+85°C（産業用）、アクセス55 ns。ICCは1 MHzで10 mA typ（18 mA max）、CE自動パワーダウン待機は3 µA typ（25 µA max）。1.5 Vでデータ保持に対応し、48ボールPbフリーFBGAで提供。

特長

  • 32 Mbit SRAM、2M×16/4M×8
  • tRC読出しサイクル55 ns
  • OE→データ有効tDOE 25 ns
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 1 MHz動作電流 typ 10 mA
  • 待機typ 3 µA、max 25 µA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • アドレス停止で消費99%減
  • データ保持電圧VDR 1.5 V
  • 保持電流 max 20 µA
  • OE/CE/BHE/BLEで3ステート

利点

  • 8/16ビットバスに適合
  • 55 nsアクセスで高速CPU対応
  • OE 25 nsで読出し立上り高速
  • 2.2–3.6 Vで電池動作に対応
  • typ 10 mAで動作電力を低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • 99%低減で静止損失を抑制
  • 1.5 Vでもデータ保持
  • 保持電流が小さく省エネ
  • 3ステートで増設が容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ