CY62177EV30LL-55BAXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62177EV30LL-55BAXI

High-Density 32 Mbit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications with Wide Temperature Range
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62177EV30LL-55BAXI
CY62177EV30LL-55BAXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    32 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62177EV30LL-55BAXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2100
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2100
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CY62177EV30LL-55BAXI is a high-performance CMOS static RAM designed for ultra-low active current, ensuring efficient power management and providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular telephones. Its automatic power-down feature significantly reduces power consumption when addresses are not toggling, offering reliable performance with minimal power usage.

特長

  • Very high speed: 55 ns
  • Wide voltage range: 2.2 V to 3.6 V
  • Typical standby current: 3 µA
  • Maximum standby current: 25 µA
  • Typical active current: 10 mA at f = 1 MHz
  • Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE Features
  • Automatic power down when deselected

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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