CY62167G30-55BVXET
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167G30-55BVXET

パッケージ

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CY62167G30-55BVXET
CY62167G30-55BVXET

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62167G30-55BVXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62167G30-55BVXETは16 Mbit（1M×16）の非同期SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 Vで動作し、動作温度は-40°C～125°C（Automotive-E）、速度グレードは55 nsです。自動パワーダウンとバイト・パワーダウンに対応し、スタンバイ電流は代表値5.5 µA（最大75 µA）。BHE/BLEにより8ビットアクセスも可能です。AEC-Q100対応、Pbフリー48ボールVFBGA（テープ&リール）。

特長

  • 16-Mbit SRAM、1M×16
  • ECC内蔵、1ビット訂正
  • 高速アクセス45 ns/55 ns
  • VCC動作範囲2.2-3.6 V
  • スタンバイ電流typ 5.5 µA
  • スタンバイ電流max 75 µA
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • 保持電流typ 5.5 µA
  • デュアルチップイネーブルCE1/CE2
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択時はHI-Z三態出力
  • OE→データ有効22/25 ns

利点

  • ECC内蔵でデータ信頼性向上
  • 45/55 nsで読出し遅延低減
  • 2.2-3.6 Vで3.3 V系に適合
  • 5.5 µA待機で電池寿命延長
  • max 75 µAで電力見積り容易
  • 1.0 V保持でデータを維持
  • CE1/CE2でバス共有が簡単
  • バイト書込みで更新量を削減
  • HI-Zでバス競合を防止
  • 高速OEでランダム読出し向上
  • 低リークで低消費電力化
  • -40°C～+125°Cで動作

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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