CY62167EV18LL-55BVI
Active and preferred

CY62167EV18LL-55BVI

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パッケージ
個.
在庫あり

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CY62167EV18LL-55BVI
CY62167EV18LL-55BVI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62167EV18LL-55BVI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P-VFBGA-48
パッケージ名 BGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P-VFBGA-48
パッケージ名 BGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62167EV18LL-55BVIは16 Mbit（1 M×16）のCMOS非同期SRAMで、55 nsアクセスのリード/ライトに対応します。動作電圧は1.65 V～2.25 V、温度範囲は-40°C～+85°Cです。非選択時（CE1/CE2）に自動パワーダウンし、スタンバイ電流は1.5 µA典型、12 µA最大です。1 MHz時の動作ICCは2.2 mA典型（4.0 mA最大）で、fmax時のICCは25 mA典型です。x16バスはBHE/BLEでバイト書込み可能です。

特長

  • 1M×16 CMOS SRAMアレイ
  • 55 ns読出し/書込み周期
  • VCC動作1.65 V～2.25 V
  • 待機電流 typ 1.5 µA
  • 待機電流 max 12 µA
  • 1 MHzでICC typ 2.2 mA
  • fmaxでICC max 30 mA
  • OE/CEで3状態出力(Hi-Z)
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CIN/COUT最大10 pF
  • ESD >2001 V(MIL-STD-883)
  • 周囲温度-40°C～+85°C

利点

  • 16ビット対応で部品点数削減
  • 55 nsで高速SRAMアクセス
  • 低VCCで低電圧SoCに適合
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 最大待機低減で休眠電力抑制
  • 動作mA低減で消費電力削減
  • ICC max 30 mAで電源設計容易
  • Hi-Z出力でバス共有を簡素化
  • バイト書込みで書込み量削減
  • 低容量で信号タイミング容易
  • 高ESDで取扱い歩留まり向上
  • 広い温度範囲で信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ