CY62158GE30-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62158GE30-45BVXI

データシート
パッケージ

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CY62158GE30-45BVXI
CY62158GE30-45BVXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62158GE30-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62158GE30-45BVXIはMoBL 8-Mbit（1M×8）CMOS SRAMで、ECC内蔵とエラー通知用ERR出力を備えます。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、45 nsアクセスです。CE1/CE2で自動パワーダウンに対応し、待機電流は1.4 µA typ、6.5 µA max。1.0 Vまでデータ保持に対応。TTL互換I/O、Pb-free 48ボールVFBGA。

特長

  • 8 Mbit SRAM（1M×8）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • 45 nsの読出し/書込み周期
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • スタンバイ1.4 µA typ
  • スタンバイ6.5 µA max
  • 22 MHzでICC最大25 mA
  • デュアルCE入力（CE1/CE2）
  • OE/WE制御・出力High-Z
  • CMOS/TTL互換I/Oレベル
  • 動作温度-40°C～+85°C

利点

  • ECCでデータ信頼性向上
  • 45 nsで高速SRAMアクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 1.0 V保持でデータ維持
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 低ICCでシステム消費低減
  • デュアルCEで電源制御簡素化
  • High-Zでバス共有が容易
  • TTL I/OでMCU接続が容易
  • -40～+85°Cで信頼性向上
  • 低SER FITで堅牢性向上
  • 書戻し無しで副作用を回避

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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