CY62146ELL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62146ELL-45ZSXI

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パッケージ
個.
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CY62146ELL-45ZSXI
CY62146ELL-45ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62146ELL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62146ELL-45ZSXIは5 Vシステム向けの4-Mbit（256K×16）CMOSスタティックRAMで、45 nsアクセスを保証します。4.5 V～5.5 Vで動作し、温度範囲は-40°C～+85°C（産業用）です。自動CEパワーダウンで待機電流2.5 µA（typ、最大7 µA）。1 MHzで動作電流3.5 mA（typ）、fmaxでICCは最大20 mAです。44ピンPb-free TSOP IIで提供されます。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM
  • 45 ns 読み書きサイクル
  • VCC動作 4.5 V～5.5 V
  • 1 MHz時 ICC典型3.5 mA
  • 待機電流典型2.5 µA
  • 待機電流最大7 µA
  • CE自動パワーダウン(ISB2)
  • VCC=2 Vでデータ保持
  • 2 V時 ICCDR最大8.8 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • TTL互換入力レベル
  • OE/CEで3ステート出力

利点

  • 45 nsでCPUアクセス高速化
  • 5 V電源で既存設計に適合
  • 3.5 mAで動作電力を低減
  • 2.5 µA待機で電池寿命向上
  • 自動省電力でエネルギー節約
  • 2 V保持でデータ保護
  • 8.8 µAでバックアップ負担減
  • バイト有効で書込み電力低減
  • OE/CEでバス共有が容易
  • TTL入力で接続が簡単
  • High-Zでバス競合を防止
  • SRAMでリフレッシュ不要

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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