Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B204QSN-108SXET

4Mb 3.0V Automotive-E 108MHz QSPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC
データシート
パッケージ

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CY15B204QSN-108SXET
CY15B204QSN-108SXET
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    EXCELON™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
推奨
OPN
CY15B204QSN108SXETXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B204QSN-108SXETは4 Mb EXCELON™ Auto強誘電体RAM（F-RAM）で、512K × 8構成と最大108 MHz（SDR）、54 MHz（DDR）の高速Quad SPIインターフェースを備えます。10^13回の耐久性、85°Cで121年のデータ保持、バス速度での瞬時書き込みを実現。動作電圧1.8 V～3.6 V、-40°C～+125°Cで動作し、ECC・CRC・データ保護を搭載。車載Grade 1認定で自動車・産業の頻繁かつ高速なデータ記録に最適です。

特長

  • 4 Mb強誘電体RAM、512K × 8
  • 10^13回の読書耐久性
  • 121年データ保持
  • クアッド/デュアル/拡張/シングルSPI
  • SPI SDR 108 MHz、DDR 54 MHz
  • XIP実行対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • ECC/CRC内蔵でデータ保護
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 256バイト特別セクタ、リフロー耐性
  • 低消費電力：15 mA動作、0.1 µA休止
  • JEDEC準拠のI/O特性

利点

  • 書き込み遅延なし、即時保存
  • 頻繁な記録でも長寿命
  • 121年データ信頼性
  • 柔軟なSPIで統合容易
  • 高速アクセスで効率向上
  • XIPでシームレス動作
  • 誤書き防止でデータ保護
  • ECC/CRCで信頼性向上
  • ユニークIDで追跡可能
  • 特別セクタはリフロー耐性
  • 低消費電力で省エネ
  • JEDEC準拠で互換性確保

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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