Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V256LA-BA35XIT

データシート
パッケージ

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CY14V256LA-BA35XIT
CY14V256LA-BA35XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14V256LA-BA35XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14V256LA-BA35XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。61～180 µFのVCAPコンデンサーを使用し、35 nsのアクセスと電源喪失時の自動データ保存 (AutoStore) をサポートし、電源投入時またはソフトウェアによるデータRECALLが可能です。-40～85 ℃ の範囲で、VCC 3.0～3.6 VおよびVCCQ 1.65～1.95 Vで動作し、100万回のSTOREサイクルと20年のデータ保持性能を備えています。パッケージは48ボールFBGAです。

特長

  • 32K×8 nvSRAM構成
  • 35 ns SRAMアクセス
  • 電源断で自動STORE(VCAP)
  • HSB/ソフト/自動STORE
  • ソフト/電源投入RECALL
  • STORE耐久1000 K回
  • データ保持20年
  • コアVCC 3.0–3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65–1.95 V
  • 低電圧で書込/STORE禁止
  • HSBオープンドレインBUSY
  • VCAP容量61–180 µF

利点

  • リアルタイムデータのためのSRAM並みの速度
  • 停電時のバックアップ用ファームウェアはありません
  • 電源投入後の自動データ復元
  • MCUコードなしでHSB経由で手動保存
  • ソフトウェアのSTORE/RECALLで制御が可能
  • データロギングのための高いSTORE耐久性
  • 長期保存データのための20年間の保持
  • デュアルレールによりI/O電圧のマッチングが容易になります
  • 抑制により電圧低下による破損が防止されます
  • HSBにより簡単なステータス監視が可能
  • VCAP STOREはバックアップバッテリーを不要にします
  • AutoStoreを無効にしてNVの摩耗を軽減する

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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