Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V256LA-BA35XIT

データシート
パッケージ

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CY14V256LA-BA35XIT
CY14V256LA-BA35XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14V256LA-BA35XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14V256LA-BA35XITは256-Kbit（32K × 8）のパラレルnvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを統合。35 nsアクセス、61～180 µFのVCAPで電源断時にAutoStoreし、電源投入またはソフトでRECALL可能。VCC 3.0～3.6 V、VCCQ 1.65～1.95 V、-40～85°Cで動作し、STORE 100万回と20年保持、48ボールFBGA。

特長

  • 32K×8 nvSRAM構成
  • 35 ns SRAMアクセス
  • 電源断で自動STORE(VCAP)
  • HSB/ソフト/自動STORE
  • ソフト/電源投入RECALL
  • STORE耐久1000 K回
  • データ保持20年
  • コアVCC 3.0–3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65–1.95 V
  • 低電圧で書込/STORE禁止
  • HSBオープンドレインBUSY
  • VCAP容量61–180 µF

利点

  • SRAM速度でリアルタイム対応
  • 電源断バックアップ不要
  • 電源投入で自動復元
  • HSBで手動保存を簡単化
  • ソフトSTORE/RECALLで制御
  • 高耐久でデータロギング向き
  • 20年保持で長期保存
  • 2電源でI/O電圧に合わせやすい
  • 低電圧で破壊書込み防止
  • HSBで状態監視を簡素化
  • VCAPで電池不要の保存
  • AutoStore停止で摩耗低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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